内山 晴貴 Haruki Uchiyama

名古屋大学大学院工学研究科助教※助成決定当時

2025稲盛研究助成理工系

採択テーマ
低電位析出による低次元材料/絶縁膜の界面エンジニアリング
キーワード
研究概要
次世代半導体デバイスの性能向上にはチャネル材料や構造の革新が不可欠です。特に、Beyond 2 nmの半導体技術では、高移動度を維持しつつ表面散乱を抑えられる低次元材料が有望視されています。しかし、デバイス性能を左右する半導体/ゲート絶縁膜界面において、低次元材料の清浄表面が課題となっています。本研究では、低電位析出による金属単原子バッファ層の形成技術を提案し、低次元材料と絶縁膜の清浄な界面の形成を目指します。

助成を受けて

次世代半導体デバイスの性能向上に向け、低次元材料とゲート絶縁膜の界面制御技術を探求する本研究が採択され、大変光栄に思います。従来技術では解決が困難であった界面の課題に対し、新たなアプローチで挑戦し、半導体技術のさらなる発展に貢献できるよう努めます。

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